内存条DDR3

类别:便携存储卡

容量:2GB-16GB

描述:云存DDR3低电压SO-DIMM内存使用1.35V超低额定电压,不仅能减少热能产生,还能降低整体能源消耗,是轻薄低功耗的mini-ITX系统与薄型省电笔记型计算机的最佳选择

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云存DDR3低电压SO-DIMM内存使用1.35V超低额定电压,不仅能减少热能产生,还能降低整体能源消耗,是轻薄低功耗的mini-ITX系统与薄型省电笔记型计算机的最佳选择,小型机壳和轻薄笔电通常意味着拥挤的零件与有限的散热空间。

内存参数
类型DDR3-NB-PC:1333L or 1600L
工作周期CL=9,TRCD=,TRP=9
内存容量2GB,4GB,8GB
芯片型号MT41K512M4DA-150
芯片结构512Mb*4 or 1GB*4 or 1GB*8
芯片数量16
ECC
BUFFER
PCB型号CH83S401-K
环境要求
工作温度0-85℃
工作湿度相对湿度:10%-90%
存储温度-50-100℃
存储湿度相对湿度:5%-95%
工作存储气压69-105KPa
SPD
SPD必须符合JEDEC DDR3;标准的要求
PCB板性能参数
材质FR-4
成品厚度1.0±0.1mm
镍金厚度:ΩAu:2-3u/Ni:120-140u
线宽0.1mm
线距0.1mm
板弯板翘0.75%
焊锡性测试IPC-TM650
防焊漆蓝 (厚度0.1mm;以上)
单片尺寸

PC:133.35*30.00±0.1mm;

NB:30.00*67.6±0.1mm

阻抗

Single-ended:60 Ohm±10%   

 Differential:95/100 Ohm±15%

层数8

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